半導體三極管
半導體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發(fā)射極E和集電極C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
發(fā)明人
1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊利博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體管把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發(fā)現，在他們發(fā)明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對人們未來的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱為“獻給世界的圣誕節(jié)禮物”。另外，這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。
晶體管促進并帶來了“固態(tài)革命”，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業(yè)。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，并產生了巨大的經濟效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規(guī)模集成電路應運而生，這樣制造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。
名稱來源
由于三極管的結構和外形特征，它有三個接出來的端點，所以便被形象的命名為三極管。
結構簡介
三極管的基本結構是兩個反向連結的PN結面，如圖1所示，可有PNP和NPN兩種組合。三個接出來的端點依序稱為發(fā)射極（emitter,E）、基極（base,B）和集電極（collector,C），名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關。圖中也顯示出 NPN與PNP三極管的電路符號，發(fā)射極特別被標出，箭號所指的極為n型半導體， 和二極體的符號一致。在沒接外加偏壓時，兩個pn接面都會形成耗盡區(qū)，將中性的p型區(qū)和n型區(qū)隔開。
pnp和npn三極管的結構及其示意圖
三極管的電特性和兩個pn結面的偏壓有關，工作區(qū)間也依偏壓方式來分類，這里 我們先討論最常用的所謂”正向活性區(qū)”（forward active），在此區(qū)EB極間的pn結面維持在正向偏壓，而BC極間的pn結面則在反向偏壓，通常用作放大器的三極管 都以此方式偏壓。圖2(a）為一PNP三極管在此偏壓區(qū)的示意圖。EB接面的空乏區(qū)由于正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射極的空穴會注入到基極，基極的電子也會注入到射極；而BC接面的耗盡區(qū)則會變寬，載體看到的位障變大， 故本身是不導通的。圖2(b）畫的是沒外加偏壓，和偏壓在正向活性區(qū)兩種情形下，空穴和電子的電位能的分布圖。三極管和兩個反向相接的pn二極管有什么差別呢？其間******的不同部分就在于三極管的兩個接面相當接近。以上述之偏壓在正向活性區(qū)之PNP三極管為例， 射極的空穴注入基極的n型中性區(qū)，馬上被多數載體電子包圍遮蔽，然后朝集電極方向擴散，同時也被電子復合。當沒有被復合的空穴到達BC接面的耗盡區(qū)時，會被此區(qū)內的電場加速掃入集電極，空穴在集電極中為多數載體，很快藉由漂移電流到達連結外部的歐姆接點，形成集電極電流IC。IC的大小和BC間反向偏壓的大小 關系不大?；鶚O外部僅需提供與注入空穴復合部分的電子流IBrec，與由基極注入 射極的電子流InBE（這部分是三極管作用不需要的部分）。InB E在射極與與電 洞復合，即InB E=IErec。PNP三極管在正向活性區(qū)時主要的電流種類可以清楚地 在圖3(a）中看出。
3(a)
射極注入基極的空穴流大小是由EB接面間的正向偏壓大小來控制，和二極體的情形類似，在啟動電壓附近，微小的偏壓變化，即可造成很大的注入電流變化。更精確的說，三極管是利用VEB（或VBE）的變化來控制IC，而且提供之IB遠比IC小。NPN三極管的操作原理和PNP三極管是一樣的，只是偏壓方向，電流方 向均相反，電子和空穴的角色互易。PNP三極管是利用VEB控制由射極經基極，入射到集電極的空穴，而NPN三極管則是利用VBE控制由射極經基極、入射到集電極的電子。三極管在數字電路中的用途其實就是開關，利用電信號使三極管在正向活性區(qū)（或飽和區(qū)）與截止區(qū)間切換，就開關而言，對應開與關的狀態(tài)，就數字電路而言則代表0與1（或1與0）兩個二進位數字。若三極管一直維持偏壓在正向活性區(qū)，在發(fā)射極與基極間微小的電信號（可以是電壓或電流）變化，會造成射極與集電極間電流相對上很大的變化，故可用作信號放大器。
工作原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理?！τ贜PN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結稱為發(fā)射結，而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。
當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數載流子（電子）及基區(qū)的多數載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流了。由于基區(qū)很薄，加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續(xù)性原理得：Ie=Ib+Ic，這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流放大倍數，集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：β= △Ic/△Ib。式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/p>
NPN三極管放大時管子內部的工作原理：
1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子（形成發(fā)射極電流）
發(fā)射結施加正向電壓且摻雜濃度高，所以發(fā)射區(qū)多數自由電子越過發(fā)射結擴散到基區(qū)，發(fā)射區(qū)的自由電子由直流電源補充，從而形成了發(fā)射極電流。（同時，基區(qū)的多數載流子也會擴散到發(fā)射區(qū)，成為發(fā)射極電流的一部分。由于基區(qū)很薄，且摻雜濃度較低，因此由基區(qū)多數空穴形成的電流可以忽略不計。）
2、自由電子在基區(qū)和空穴復合，形成基區(qū)電流，并繼續(xù)向集電區(qū)擴散
自由電子進入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區(qū)形成集電極電流。也有很小一部分電子（因為基區(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復合（基區(qū)中的空穴由直流電源補充），擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區(qū)收集自由電子，形成集電極電流
由于集電結加反向電壓且面積很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區(qū)形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
4 三極管工作狀態(tài)
NPN 型,當B與E之間電壓Vbe>0.5V時,如果三個管腳電壓關系是Vc>Vb>Ve,則會處於放大狀態(tài);如果是Vb>Vc>Ve 則會處於飽和狀態(tài)(相當於開關);如果此時Ve>Vc則仍會處於截止狀態(tài).
PNP 型,當B和E之間電壓Veb>0.5V時,如果三個管腳電壓關系是Ve>Vb>Vc,則會處於放大狀態(tài);如果是Ve>Vc>Vb則會處於飽和狀態(tài)(相當於開關);如果此時Vc>Ve則仍會處於截止狀態(tài).
注:三極管放大狀態(tài)時,導通能力大小由基極電流Ib決定,因此三極管是電流控制型元件.
主要參數
特征頻率fT
當f= fT時，三極管完全失去電流放大功能。如果工作頻率大于fT，電路將不正常工作。
工作電壓/電流
用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍。
hFE
電流放大倍數。
VCEO
集電極發(fā)射極反向擊穿電壓，表示臨界飽和時的飽和電壓。
PCM
******允許耗散功率。
